采用1靶3光束方式

該方法使用三種類型的光譜晶體來提取適合待測(cè)量元素的單色 X 射線束，并用它來激發(fā)污染物元素。 用于測(cè)量輕元素的W-Mα射線不會(huì)激發(fā)Si，因此可以分析Na、Mg和Al。從Na到U連續(xù)進(jìn)行高精度自動(dòng)分析。

通過消除衍射輻射，最大限度地減少散射輻射的影響

采用抑制高次反射的光學(xué)系統(tǒng)和 XY-θ 驅(qū)動(dòng)臺(tái)，X 射線入射方向自動(dòng)選擇功能消除了來自基板的衍射線，并可在散射線干擾最小的情況下實(shí)現(xiàn)高信噪比測(cè)量。 可以對(duì)整個(gè)晶圓表面進(jìn)行精確且高精度的微量分析。

可將坐標(biāo)與異物檢查坐標(biāo)數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)

通過將異物檢查裝置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)導(dǎo)入TXRF裝置，可以分析存在顆粒的位置的污染元素。 滴水軌跡搜索功能采用的算法，需要快速、準(zhǔn)確的坐標(biāo)。

高速晶圓內(nèi)污染篩查“Sweeping-TXRF功能"

可以使用Sweeping-TXRF方法，該方法使用直接TXRF方法在晶圓表面上進(jìn)行高速測(cè)量，以揭示污染物元素的分布。 可以在短時(shí)間內(nèi)對(duì)整個(gè)晶圓表面進(jìn)行污染分析，而這種分析無法通過表面內(nèi)的 5 或 9 個(gè)點(diǎn)等代表性坐標(biāo)測(cè)量來捕獲。 僅需50分鐘即可完成300mm晶圓整個(gè)表面5×10 10 個(gè)原子/cm 2污染的檢測(cè)。除了污染元素的分布外，還可以通過對(duì)整個(gè)表面的測(cè)量值進(jìn)行積分來計(jì)算晶片表面內(nèi)的平均污染濃度。

邊緣排除 0mm 無損、非接觸式污染測(cè)量“ZEE-TXRF 功能"

我們實(shí)現(xiàn)了晶圓邊緣附近的高靈敏度測(cè)量，這是以前使用 TXRF 方法無法測(cè)量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 對(duì)污染集中的邊緣區(qū)域進(jìn)行污染分析。

晶圓背面全自動(dòng)測(cè)量“BAC-TXRF功能"

EFEM內(nèi)部安裝了晶圓翻轉(zhuǎn)機(jī)器人，實(shí)現(xiàn)了300mm晶圓背面污染物的全自動(dòng)無人測(cè)量。 與 ZEE-TXRF 功能結(jié)合使用時(shí)，可以對(duì)晶圓各部分進(jìn)行全面的污染分析和評(píng)估。

兼容 300mm 晶圓廠

Fab配備標(biāo)準(zhǔn)FOUP/SMIF接口，兼容300mm/200mm晶圓。 它還支持各種AMHS，并通過支持主機(jī)和SECS/GEM協(xié)議來支持CIM/FA。