當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > Rigaku理學 > 半導體測量設(shè)備
產(chǎn)品分類
CLASSIFICATION相關(guān)文章
RELATED ARTICLES2025-04-14
2025-05-12
2025-03-04
2025-04-18
2025-04-24
2025-04-17
2025-03-04
2024-09-30
2025-04-19
2025-05-12
半導體設(shè)備XHEMIS TX-3000V理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀 半導體設(shè)備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀 內(nèi)置 VPD 的 TXRF 光譜儀 超快速金屬污染測繪 VPD 的最高靈敏度 兼容最大 300mm 晶圓
半導體設(shè)備XHEMIS TX-3000理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀 半導體設(shè)備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀 TXRF光譜儀 超快速金屬污染測繪 兼容最大 300mm 晶圓
半導體設(shè)備TXRF-V310理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 半導體設(shè)備理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計的入射X射線單色儀。 使用直接TXRF測量方法實現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現(xiàn)相同的精度和高通量,測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。
半導體設(shè)備TXRF 310Fab理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 半導體設(shè)備理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計的入射X射線單色儀。 使用直接TXRF測量方法實現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現(xiàn)相同的精度和高通量,測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。
半導體設(shè)備TXRF 3760理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 半導體設(shè)備理學Rigaku反射熒光X射線分析儀 采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計的入射X射線單色儀。 使用直接TXRF測量方法實現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現(xiàn)相同的精度和高通量,測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。